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2019年学术报告之系列之19:第三代半导体SiC低维材料生长控制及其光电器件应用
2019-09-24 08:02 曹盛 

主讲人:杨为佑,乌克兰工程院外籍院士,二级教授/博导,宁波工程学院材料研究所所长

报告时间:2019年9月24日下午11:00-12:00;报告地址:君武楼第二会议室

报告内容摘要:第一二代半导体,面临的主要困难是无法胜任高温(>200 °C)等苛刻服役条件。SiC是重要的第三代半导体代表性材料之一,与GaN并称为第三代半导体双雄,有望解决第一、二代半导体高温稳定性的瓶颈问题。本报告向大家介绍我们团队近年来在SiC低维材料领域开展的一点工作。围绕SiC场发射阴极材料研发,基于局域场增强效应和调控费米能级附近电子态密度等原理,采用有机前驱体热解工艺,实现了SiC低维材料生长及其掺杂的控制,达到了场发射性能的协同强化效果。围绕超级电容器的研发,采用电化学刻蚀工艺,实现了大面积高定向SiC纳米阵列的温和制备与结构调控,所构建的SiC超级电容器展现出良好的综合电化学性能。

报告人简介:乌克兰工程院外籍院士,博导,二级教授,浙江省万人计划科技创新领军人才,第三代半导体低维材料与器件浙江省高校高水平创新团队负责人、材料科学与工程省一流学科带头人、享受国务院政府特殊津贴。

2005年博士毕业于清华大学材料科学与工程系;2006年于宁波工程学院材料所工作至今,2007年晋升为副教授,2010年晋升为研究员。入选宁波市领军与拔尖人才第一层次、浙江省新世纪151人才第一层次。

主要从事无机非金属半导体低维材料的可控合成、性能及其器件应用基础研究,先后主持承担国家重点研发计划(973计划)前期研究专项1项、国家自然科学基金6项、浙江省杰出青年科学基金1项等;迄今在Chem. Soc. Rev.Prog. Mater. Sci.、J. Am. Chem. Soc.Adv. Energy Mater.、ACS NanoAdv. Funct. Mater.等发表SCI 收录论文140余(SCI一区top期刊封面论文10);申请发明专利70余项,已授权60余项;应邀参与撰写国际专著2部。


附件【报告题目和个人简介_杨为佑(1).doc已下载
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