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我院光电材料与探测技术科研团队在新型衬底的蓝光LED发光性能研究方面取得新进展
2018-10-12 15:13  

 

光电材料与探测技术研究团队与台湾大学光电工程学研究所合作,采用组分可调的非晶碳化硅(SixC1-x)替代蓝宝石作为InGaN/GaN多层量子阱LED的衬底材料,实现了高效的蓝光发射,并对量子阱受内应力调控的辐射/非辐射复合物理机制进行了探索。该工作以“Strain-related recombination mechanisms in polar InGaN/GaN MQWs on amorphous SixC1-x buffers”为题发表在SCI二区学术刊物Optical Materials Express上(2018, 8(5), 1100, IF=2.591),作者包括林涛,王芳泽(研究生),Chih-Hsien Cheng(台湾大学),陈帅(研究生),冯哲川*,林恭如*(台湾大学)。该研究成果表明,通过组分对碳化硅的平均键长进行调控,可以有效减小外延量子阱层的内应力,使得器件在常温下的相对外量子效率显著提高。以上结果对蓝光LED器件的进一步改良有很高的价值。

 

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