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我院光电材料与探测技术科研团队在同质外延碳化硅薄膜质量检测方面提出新方法
2018-11-26 09:02 万玲玉 

光电材料与探测技术研究团队与加拿大Mcmaster大学、美国Auburn大学、中科院大连化物所等合作,利用非常规的拉曼禁忌模提出了一种碳化硅薄膜质量检测新方法,采用266/325/360/514nm多波长激发,有效区分了同质外延生长的碳化硅衬底和外延层拉曼信号,快速有效检测薄膜沿生长方向不同厚度层的质量情况。该工作以“Quality evaluation of homopetaxial 4H-SiC thin films by a Raman scattering study of forbidden modes”为题发表在SCI二区学术刊物Optical Materials Express上(2018, 8(1), 119, IF=2.591),作者包括万玲玉*,赵帝舒(研究生),王芳泽(研究生),许谷(Mcmaster大学),林涛,CHIN-CHE TIN(Auburn大学),冯兆池(中科院大连化物所),冯哲川*。研究结果拓展了拉曼禁忌模的应用,对外延半导体薄膜材料的质量检测有较高的应用价值。
 

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