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我院光电子材料与探测技术科研团队在ZnO衬底上高In组分的InGaN薄膜光学性能研究取得新进展
2018-11-28 10:32 田明 

 

光电子材料与探测技术研究团队与北京大学,中国科学院北京纳米能源与系统研究所,美国密苏里大学和美国北佛罗里达大学等合作,利用高分辨X射线衍射,卢瑟福背散射,X射线光电子能谱,拉曼光谱和光致荧光谱等检测手段研究了生长在ZnO衬底上高In组分的InGaN/GaN异质结的薄膜质量及其光学性能。该工作以Investigation of high indium-composition InGaN/GaN heterostructures on ZnO grown by metallic organic chemical vapor deposition”为题目发表在SCI二区学术刊物Optical Materials Express上(2018, 8(10), 3184, IF=2.591)作者包括田明(研究生),千英达(研究生),张弛(研究生),李琳(北京大学),姚淑德(北京大学),I. T. FERGUSON(密苏里大学),D. N. TALWAR(北佛罗里达大学),翟俊宜(北京纳米能源与系统研究所),孟得欢(北京纳米能源与系统研究所),何开岩*,万玲玉*,冯哲川*。该研究成果表明,随生长温度的升高,Zn/O原子的扩散加剧伴随着In组分的降低,杂质的形成导致外延层质量的降低。该研究不仅加深了我们对MOCVD生长InGaN薄膜的认识,而且为制备高质量的InGaN太阳能电池开拓新途径。

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