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我院光电材料与探测技术科研团队在新型单晶硅衬底的LED发光性能研究方面取得新进展
2018-12-06 08:36 林涛 

 

   光电材料与探测技术研究团队与中山大学光电材料与技术国家重点实验室张佰君教授团队合作,在基于单晶硅衬底的InGaN/GaN多层量子阱LED中,引入不同的插入层及n-GaN层,通过释放量子阱内应力的方式,实现了高效的蓝光发射,并对量子阱受内应力调控的辐射/非辐射复合物理机制进行了探索。该工作以

 

     “Strain-Controlled Recombination in InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on Silicon Substrates

 

为题,发表在SCI二区学术刊物Nanoscale Research Letters上(2018, 13, 243, IF=2.833),作者包括林涛,周之琰(本科毕业生),黄耀民(本科毕业生),杨坤(本科毕业生),张伯君(中山大学),冯哲川*。该研究成果表明,通过适当AlGaN插入层或δ型硅掺杂的n-GaN层对内应力进行调控,可以使器件在常温下的相对外量子效率显著提高。以上结果对蓝光LED器件的进一步改良有很高的价值,并在硅基光电集成电路方面有重要应用。

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