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我院光电材料与探测技术科研团队对不同温度生长在蓝宝石表面的氧化镓薄膜的研究取得新进展
2019-03-11 16:53 杨洪,冯哲川 

 

光电材料与探测技术研究团队与北京纳米能源研究中心、台湾中兴大学、美国北佛罗里达大学、台湾大学、台湾同步辐射研究中心合作,研究了不同温度生长在蓝宝石衬底上的氧化镓薄膜的微观结构、表面化学态及其能带排列。

题目:Surface/structural characteristics and band alignments of thin Ga2O3 films grown on sapphire by pulse laser deposition”

作者杨洪(研究生),千英达(研究生),张驰(研究生),武东星(台湾中兴大学),Devki N. Talwar (美国北佛罗里达大学),林浩雄(台湾大学),李志甫台湾同步辐射研究中心),万玲玉*,何开,冯哲川*

刊物Applied Surface science(479 (2019) 1246–1253, IF=4.4),

链接:见附件

该工作表在SCI刊物该研究利x射线吸收光谱、拉曼散射光谱、x射线光电子能谱等检测手段,测定了脉冲激光沉积法不同温度生长Ga2O3薄膜的键长配位数拉曼光谱线宽表面化学组分及能带排列,讨论了薄膜的生长条件、微观结构和光学性能之间的相关性,重点讨论了生长温度对Ga2O3薄膜能带排列的影响。这一工作为氧化镓薄膜材料光电子器件中的应用提供了有价值的参考与借鉴。

附件【19ASS479,p1246-53 Ga2O3 PLD XAs,XPS.pdf已下载
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