【报告人】秦国刚 院士（北京大学）

【报告时间】2019年12月9日（星期一）15：00-17：00

【报告地点】君武楼第二会议室

【报告人简介】1934年生于南京。1956年毕业于北京大学物理系。毕业后，师从黄昆教授做研究生，研究方向为半导体物理，1961年2月毕业。此后，长期在北京大学物理系和人工微结构与介观物理国家重点实验室从事教学和科研工作。2001年当选为中国科学院院士（信息技术科学学部）。2018年11月退休。研究领域：钙钛矿等新型半导体太阳能电池，外激励下半导体中杂质原子室温扩散，半导体等离子体室温扩散掺杂，硅基和石墨烯基有机电致发光，硅/化合物半导体混合激光，低维纳米半导体材料和原型器件，半导体中杂质、缺陷和深能级，硅和砷化镓中的氢，金属与半导体接触，多孔硅和纳米硅光致和电致发光等

【报告摘要】主要探讨半导体中杂质室温扩散的机制和应用前景。近八年多以来，我们实验室先后发现两个半导体中杂质原子在外激励下室温扩散的新现象：I，伽玛射线或高能电子辐照辐照表面经等离子体处理的半导体室温吸杂，指半导体内部的杂质被吸引到半导体表面。II，等离子体激励的室温扩散掺杂。扩散是自然界普遍存在的物理规律，固体中杂质的扩散都发生在高温，文献中罕见有固体中室温扩散的研究。我们认为研究固体中杂质在外激励下的室温扩散除了基础研究意义之外，从正反两方面都有应用的可能。例如，对新型半导体，如第三代半导体GaN和SiC的掺杂，可能有应用。