光电材料与探测技术研究团队与台湾大学光电工程学研究所合作，采用组分可调的非晶碳化硅（Si_xC_1-x）替代蓝宝石作为InGaN/GaN多层量子阱LED的衬底材料，实现了高效的蓝光发射，并对量子阱受内应力调控的辐射/非辐射复合物理机制进行了探索。该工作以“Strain-related recombination mechanisms in polar InGaN/GaN MQWs on amorphous Si_xC_1-x buffers”为题发表在SCI二区学术刊物Optical Materials Express上（2018, 8(5), 1100, IF=2.591），作者包括林涛，王芳泽（研究生），Chih-Hsien Cheng（台湾大学），陈帅（研究生），冯哲川^*，林恭如^*（台湾大学）。该研究成果表明，通过组分对碳化硅的平均键长进行调控，可以有效减小外延量子阱层的内应力，使得器件在常温下的相对外量子效率显著提高。以上结果对蓝光LED器件的进一步改良有很高的价值。