物理首页 
 学院概况 
 师资队伍 
 人才培养 
 科学研究 
 学生工作 
 招贤纳士 
 校友之家 
当前位置: 物理首页>>研究进展>>正文
我院光电材料与探测技术暨国内外科研合作团队对不同衬底上生长的氮化铝薄膜的研究取得新进展
2020-10-19 09:08  

光电材料与探测技术研究团队与长春光学精密机械物理研究所、北佛罗里达大学、肯尼索大学南部工程技术学院合作,研究了异质衬底对表面形貌,晶体结构和光学性质的影响。该工作以Comparative spectroscopic studies of MOCVD grown AlN films on Al2O3 and 6H–SiC”为题发表在SCI二区刊物Journal of Alloys and Compounds (2020)

论文链接https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.157487

论文作者:尹军华(研究生),陈代华(研究生),杨洪(研究生),刘瑶(讲师)Devki N. Talwar(美国北佛罗里达大学),何天龙(研究生),Ian T. Ferguson (美国肯尼索州立大学),何开岩*,万玲玉 和 冯哲川*

该研究利用X射线衍射光谱、X射线光电子能谱、拉曼散射光谱、透射光谱、椭圆偏振光谱、光致发光光谱和原子力显微镜等多类型检测手段,测定了通过金属有机化学气相沉积法在C面蓝宝石和6H-SiC上生长AlN薄膜的表面粗糙度、位错密度、晶粒尺寸、微应变、表面氧化膜的厚度、表面化学组分、拉曼光谱线宽以及带隙,系统的讨论了不同衬底上生长的AlN薄膜的表面形貌、微观结构和光学性能之间的差异,重点研究了在低温到高温下衬底对AlN薄膜双轴应力的影响。变温拉曼光谱及精细分析揭示了一个吸引人的现象,随着温度从80K 800K的升高,AlN薄膜中的双轴应力由压应力转变为拉应力, AlN/Al2O3薄膜中的双轴应力比AlN/SiC有更高的温度拐点。这一工作为氮化铝薄膜材料在光电子器件中的应用提供了很好的参考与借鉴。

关闭窗口