研究进展

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    2021年学术进展系列之64:我院光电子材料与器件团队在Dy3+掺杂YSZ单晶体生长与发光性能研究取得新进展

    日期: 2021-12-22 浏览次数:

    近日,我院光电子材料与器件团队开展了Dy3+掺杂YSZ单晶体的生长及其发光性能的研究,研究论文以“Growth, structure and optical spectroscopic properties of dysprosia-doped cubic yttria stabilized zirconia (YSZ) single crystals”被《Journal of Luminescence杂志接收发表

    团队运用光学浮区法生长了一系列高质量的不同浓度Dy3+掺杂的YSZ单晶体,并结合多种结构和性能表针手段,研究了Dy3+:YSZ单晶体的微结构与光谱性能。结果表明,Dy3+之间的电偶极-电偶极相互作用导致了高浓度掺杂样品的发光猝灭现象,临界距离为1.86nm,发光位于黄橙光区,色坐标为(0.53,0.45)。


        



        论文链接DOI: 10.1016/j.jlumin.2020.117766

    论文作者为洪杏硕士生,徐守磊,王翔宇硕士生,王黛妮硕士生,李思瑶硕士生Bernard A. Goodman,邓文通讯作者


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