研究进展

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    2024年学术进展系列之03:我院新型高性能材料团队在氧化铪基铁电薄膜研究中取得进展

    日期: 2024-03-12 浏览次数:

    近期我院新型高性能材料团队在铪基铁电薄膜研究中取得进展,利用第一性原理计算的方式研究了氧化铪薄膜的相变行为、缺陷间的相互作用,以及掺杂方法等问题。相关工作已经有2篇发表在《Applied Physics Letters》上,1篇发表在《Journal of Applied Physics》上,1篇发表在《Journal of Solid State Chemistry》上。这些工作获得国家自然科学基金的资助。

    论文1题目Effective control of oxygen defects by co-doping of ferroelectric HfO2

    论文1链接:https://doi.org/10.1063/5.0166230 

    论文2题目:Improvement of ferroelectric phase fraction in HfO2 via La-containing co-doping method

    论文2链接https://doi.org/10.1063/5.0190459

    论文3题目:Phase fraction of ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 film regulated by the co-action of Ce doping and oxygen defects: First principles study

    论文3链接https://doi.org/10.1063/5.0164147 

    论文4题目:Effect of Ce doping on ferroelectric HfO2 from first-principles: Implications for ferroelectric thin films and phase regulation

    论文4链接https://doi.org/10.1016/j.jssc.2023.124316

    作者:田雨水(硕士生)、周宇璐(助理教授)、赵妙(副研究员)、欧阳义芳(教授)、陶小马*(通讯作者)


    氧化铪(HfO2)是一种新型的铁电材料,由于它能够在较低薄膜厚度下维持较强的铁电性,而有望打破传统钙钛矿基铁电材料的尺寸限制;并且也与传统的CMOS工艺相兼容,因此受到了广泛的关注。但是HfO2的薄膜在制备过程中存在着复杂的相变过程,相变的动力学机制尚不明确;并且针对提升HfO2铁电性的方法之一的掺杂的研究也缺乏微观层面的分析。

    针对这些问题展开研究后,首次发现仅由离子调控引起的由立方相到铁电相的相变行为(图1),并且首次提出在氧化铪中采用共掺杂方式调控其铁电性(图2),并对常见的掺杂方式进行了筛选(图3),在进行研究的过程中对背后的物理机制也进行了解释。这些研究为HfO2中掺杂以及相变的研究提供参考,为某些现象背后的机制提供洞见。


    1. 由缺陷情况、掺杂浓度,以及掺杂种类共同影响的立方相的相变过程


    2. 单一掺杂与共掺杂对铁电极化理论值的影响


    3.稀土元素参与的共掺杂方式筛选


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