近日，我院光电子材料与探测技术团队和东南大学张雄教授团队合作，对不同硅掺杂浓度的非极性a面GaN薄膜的变温电学和光学性质展开研究，研究论文被Materials Science in Semiconductor Processing接收发表，论文链接：https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.105063。

论文作者：陈代华（硕）、赵见国（东南大学）、龙先见（硕）、王炳军（硕）、刘瑶、梁毅^*、张雄^*（东南大学）、万玲玉^*。

由于存在量子斯塔克效应(QCSE)，当前的极性GaN/AlGaN量子阱LED难以实现高效率的深紫外发光，业内广泛认为采用无QCSE的非极性a面GaN/AlGaN是解决这个问题的有效方式之一。深入了解非极性a面GaN的光电性质对LED制作非常重要，但目前为止，鲜有文献将非极性a面GaN的温度相关的电学和光学性质同时进行讨论。该论文作者通过变温霍尔和变温光致荧光光谱测量，研究了不同硅烷流量掺杂生长的非极性a面GaN薄膜的电学和光学性质，发现当硅烷流量超过16.06 nmol/min时，电子霍尔迁移率从随着硅烷流量增加而增加变为随着硅烷流量增加而减少，同时发现在温度超过450K后，掺硅非极性a面GaN薄膜的主要散射机制从电离杂质散射转变为热晶格振动散射。由于Si掺杂引起的禁带变窄(BGN)效应，非极性a面GaN薄膜的禁带宽度减小了32.56meV。此外，还发现通过Si掺杂，堆垛层错(BSF)密度降低了12.02％，BSF密度和Ga空位相关的荧光辐射被明显抑制。这项工作的研究成果对于设计非极性a面GaN器件有重要指导意义。