近日，我院孙文红教授领导的光电材料与器件研究团队成果以“Recent Advances in Packaging Technologies of AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-emitting Diodes”为题在《Advanced Materials Technologies》杂志上发表综述文章。

随着人们物质生活水平的提高，人们开始越来越重视医疗卫生健康。 特别是新冠肺炎疫情在全球范围内爆发，严重威胁人类的生命财产安全，因此，人们对杀菌消毒产品的需求越来越大。研究人员证实，利用深紫外线(DUV)(λ<300 nm)可以在几秒钟内有效灭活新型冠状病毒COVID-19。此外，研究者也证实了深紫外线在水净化和空气消毒中的应用。事实上,紫外线被证明是一种灭菌手段已经有超过一个世纪的历史了，由Niels Ryberg Finsen首先发现，他因此获得了1903年诺贝尔生理学或医学奖。此后，紫外线受到了广泛的关注，各种紫外线光器件不断被制造出来，汞灯就是其中最具代表性的一种。近年来，紫外汞灯已被广泛应用于紫外线固化、传感、医学光疗、杀菌消毒等领域。  

虽然紫外光汞灯的性能很好，但其存在寿命短、效率低、反应速度慢，以及含有有毒汞元素等缺点。根据《关于汞的水俣公约》的要求，2020年开始，应减少(甚至停止)大量含汞紫外线产品的使用。AlGaN基紫外LED具有节能、环保、结构紧凑、寿命长、响应速度快、无汞等优点，是汞灯的理想替代品。

然而，尽管人们在关于AlGaN基深紫外LED芯片的研究方面已经做了大量的工作，但报道的最高外量子效率(EQE)仅为20.3%，远低于可见LED。目前。商品化的封装后的AlGaN基深紫外LED的EQE通常低于5%，这将会导致严重的可靠性问题。因此，从封装层面提高器件的EQE和可靠性已迫在眉睫。本文系统地综述了近年来国内外有关AlGaN基深紫外LED封装技术的研究进展，并对其发展前景进行了展望。首先，我们对器件进行了简要的概述，并从理论上分析了封装层面造成EQE和可靠性较低的原因。然后，我们系统地回顾了AlGaN基深紫外LED封装技术和先进技术——深紫外μLED的最新研究进展。最后，给出了结论和展望。本综述对促进AlGaN基深紫外LED封装技术的发展具有较为积极的意义。

论文链接：https://doi.org/10.1002/admt.202101502。

论文作者：梁胜华、孙文红（通信作者）。