研究进展

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    2024年学术进展系列之15:我院孙文红团队在紫外光电器性能研究方面取得新成果

    日期: 2024-04-02 浏览次数:

    近日,物理科学与工程技术学院孙文红团队在著名学术期刊《Journal of Alloys and Compounds》上发表了题为"Multilayered BCST/PZT Thin Films on GaN Substrate for Ultraviolet Photodetector Applications"的研究论文。

    在光检测领域,铁电/半导体异质结构引起了越来越多的关注,这是因为铁电极化引起的界面电荷耦合。在这项研究中,我们利用溶胶-凝胶生长方法在(0001)GaN/c-蓝宝石衬底上制备了由Ba0.86Ca0.14Ti0.9Sn0.1O3PbZr0.52Ti0.48O3交替层组成的薄膜,简称为BCST/PZT。我们的目标是研究这些薄膜对铁电/GaN异质结光电特性的影响。研究结果显示,BCST/PZT多层薄膜具有改善的铁电特性。此外,在1 V3 V偏压范围内,多层结构的光电性能明显优于单独的BCST/GaNPZT/GaN结构。值得注意的是,多层薄膜/GaN器件在1 V偏压下表现出121.4 mA/W的响应度和1.44×1011 Jones的探测度。研究发现表明,铁电材料中存在的去极化电场可以有效地与p-n结中的内建场和其他内部场相互作用,从而实现高性能光电探测器的实现。该研究提出了一种可靠的策略,用于开发高性能的铁电/GaN光电探测器。



    论文作者:陈梅芹(硕士生)、丁浩燃(硕士生)、王玉坤(助理教授)、侯汧妤(助理教授)、胡旭宏(教授)、邓荐宇(通讯作者)、孙文红(通讯作者)。

    论文链接:https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2024.174159


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