近日，我院纳米光子学研究团队成员曹盛入选Nanoscale 2024 Emerging Investigators，并受邀以“Advancements in silicon carbide-based supercapacitors: materials, performance, and emerging applications”为题在《Nanoscale》（2024, 16, 504-526）上发表观点论文。

碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，在高功率、高频和高温电子器件领域得到了广泛的关注和应用。这种材料具有优异的物理和化学性能，包括高热导率、高击穿电场强度和出色的热稳定性，使其在电力电子、光电器件以及极端环境下的应用中占据重要地位。此外，SiC的半导体特性为其在能量存储领域的研究提供了独特的优势，例如更好的电化学稳定性和与其他功能材料的良好兼容性。基于这些特性，SiC纳米材料近年来逐渐成为超级电容器领域的研究热点，不仅体现了其在电子领域的传统优势，也展现了其在新兴能源存储技术中的巨大潜力。

本工作综述了SiC纳米材料在能源存储领域的最新研究进展，涵盖了多种SiC纳米材料的合成方法，包括固态、气相和液相合成技术，同时探讨了每种方法的优势与挑战。此外，文章特别强调了SiC基超级电容器的电化学性能，突出SiC纳米结构和多孔结构在提升比电容和循环稳定性方面的关键作用。综述还深入探讨了SiC基复合材料，例如SiC/碳复合材料和SiC/金属氧化物杂化材料，展示了它们在提升能量密度和循环稳定性方面的潜力。最后，本文概述了未来的研究方向，旨在克服现有挑战，并充分挖掘SiC在下一代能源器件开发中的潜能。

论文一：

作者：刘阳文；李广环；黄丽*；曹盛*

链接：https://pubs.rsc.org/en/content/articlehtml/2024/nr/d3nr05050e

论文二：

作者：王双华（硕士生）；曹盛*；王林；张小强；杨红利；杨为佑；侯慧林*

链接：https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2468606924000947